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錦正茂常溫面磁場(chǎng)探針臺(tái)JZM-D30技術(shù)參數(shù)

更新時(shí)間:2025-10-29 點(diǎn)擊量:60

JZM-D30為水平磁場(chǎng)方向的一維磁場(chǎng)探針臺(tái),基本配置包括:?jiǎn)瓮诧@微鏡、樣品 XY 位移臺(tái)、磁場(chǎng)發(fā)生組件、探針組件、臺(tái)式電腦組件以及無(wú)磁光學(xué)平臺(tái)組件。

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以下為各項(xiàng)配置規(guī)格及技術(shù)參數(shù)。

1、單筒顯微鏡要求:

同軸光照明,工作距離80 mm,更大放大倍率 0.75X~5X;相機(jī)幀率 30 幀,USB2.0輸出,500 萬(wàn)像素,支持手動(dòng)/自動(dòng) RGB 調(diào)節(jié)白平衡。

2、磁場(chǎng)發(fā)生組件技術(shù)規(guī)格:

(1)提供水平磁場(chǎng) 330 mT,磁場(chǎng)均勻性±1%φ1 mm;磁場(chǎng)探測(cè)分辨率 0.02 mT,(采用霍爾探頭進(jìn)行標(biāo)定),具備超溫保護(hù)與自動(dòng)斷電功能、磁場(chǎng)閉環(huán)反饋 PID功能。

(2)磁鐵電源:電源輸出電流可在正負(fù)額定*大電流之間連續(xù)變化,電流平滑過(guò)零無(wú)斷點(diǎn)且非開(kāi)關(guān)換向;輸出電流、電壓四象限工作。

3、探針組件功能配置:

(1)直流探針座 4 套:真空吸附開(kāi)關(guān)底座,X/Y 方向的移動(dòng)行程為±6 mm,調(diào)節(jié)分辨率±1 μm。

(2)直流探針5根(GGB):針尖直徑 1μm,可測(cè)直流*大1 A;

(3)同軸彈簧夾具 4 套:漏電精度達(dá) 10 pA,*大電流 1 A,耐壓 700 V,*高頻率 1 MHz,≥1.5 m 三同軸電纜線,BNC 標(biāo)準(zhǔn)接口,同軸公接頭。

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4、具備磁場(chǎng)手動(dòng)設(shè)置功能

包括反饋調(diào)節(jié)以及分布掃描;具備電磁鐵過(guò)載以及超溫保護(hù)報(bào)警功能;具備配置參數(shù)自動(dòng)保存功能;配備相應(yīng)的控制軟件,終身使用期限。

5、樣品XY位移臺(tái)技術(shù)規(guī)格:

可兼容樣品尺寸為2英寸, 滿足X/Y位移行程20mm,X/Y 位移精度 20um。

6、控制系統(tǒng)配置:CPU:intel I5;內(nèi)存:16 GB;硬盤:256 GB(固態(tài))+512 GB(機(jī)械);集成顯卡,顯示器23.8英寸,配備磁鐵掃場(chǎng)軟件。

7、無(wú)磁隔震光學(xué)平臺(tái):臺(tái)面尺寸≥800mm*1200mm。

8、樣品固定方式為真空吸附;(配真空泵)。



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